高性能記憶體走向 2 個極端，其一為注重時脈速度的 GDDR，另外一種則是注重匯流排寬度的 HBM。Samsung Electronics 近日發表 Flashbolt 記憶體，為自家第三代 HBM2E，單針腳傳輸速度衝上 3.2Gbps，單顆堆疊 8 個 16Gb 顆粒，總容量來到 16GB。 Tags: 0 comments 1 likes 1 shares Share this: 手機GoGo About author not provided 丟辣！這裡是手機GoGo粉絲團！ 《手機GOGO NO.106 跨年新機特報》 搶先看 >> http://gophone.pixnet.net/blog/post/188889555 54049 followers 56876 likes "http://gophone.pixnet.net/blog" View all posts